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碳化硅MOS SiC MOS

碳化硅MOS SiC MOS

与传统硅基器件相比，采用第三代平面技术开发的SiC MOSFET系列产品，具有更低的导通电阻、更高的开关速度和更好的导热性能，适用于更高温、高压的工作环境。Prisemi包含650V和1200V电压档次的分立器件产品。产品比导通电阻低于3.3mΩ*cm2，支持驱动电压Vgs=15V和Vgs=18V，且可靠性考核满足1000h，适用于光伏储能、新能源等领域。

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Part Number	VDS (V)	VGS (±V)	ID (A)	RDS(ON)_Typ. (mΩ)	VGS(th)_Typ. (V)	Package
PSICM4TAT65R45	650	-4/+15	51	45	2.7	TO-247-4L
PSICM4TAT65R30	650	-4/+15	70	30	2.7	TO-247-4L
PSICMTAF170R45	1700	-10~+25	72	45	2.6	TO-247-3L
PSICM4TAF120R160	1200	-8~+19	20	160	2.5	TO-247-4L
PSICMTL120R40	1200	-4~+18	68	40	3	TOLL
PSICMTAF120R16	1200	-10~+22	115	16	3	TO-247-3L
PSICMTAF65R15	650	-10~+22	150	15	3	TO-247-3L
PSICM7D2P170R750	1700	-5~+15	5	750	2	TO-263-7L
PSICMTAF65R60	650	-4~+18	29	60	2.8	TO-247-3L
PSICM4TAT120R32	1200	-4~+18	75	32	3	TO-247-4L
PSICM4TAT120R40	1200	-4~+18	68	40	3	TO-247-4L
PSICM4TAF120R80	1200	-4~+18	38	75	2.8	TO-247-4L
PSICMTAF120R80	1200	-4~+18	38	75	2.8	TO-247-3L