氮化镓器件 GaN HEMT

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氮化镓器件 GaN HEMT

Prisemi开发了P-GaN E-mode系列产品，该系列产品具有Qg小、开关速度快等特点。除此之外，使用的DFN5060、DFN8080等贴片封装适合产品小型化应用，例如30W以上的PD快充。与此同时，还开发了Cascode E-mode系列产品，该系列产品具有高栅极可靠性的特征，在封装上与超结MOS做到Pin-to-Pin，且各项参数优于超结MOS，具有较强替代性。

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Part Number	VDS (V)	VGS (±V)	ID (A)	RDS(ON)(mΩ)/Typ 10V	RDS(ON)(mΩ)/Typ 6V	VGS(th) _Typ. (V)	Package
PGC8FN70R160A	700	20	16	160	-	1.7	DFN8080-8L
PGC8FN70R110A	700	20	20	110	-	4	DFN8080-8L
PGCDP65R900A	650	20	3.6	900	-	4	TO-252
PGCDP65R600A	650	20	4.8	600	-	4	TO-252
PGCTOF65R600A	650	20	4.8	600	-	4	TO-220F
PGC8FN65R110A	650	20	20	110	-	4	DFN8080-8L
PGC8FN65R160A	650	20	16	160	-	1.7	DFN8080-8L
PGC8FN65R270A	650	20	7.9	270	-	1.7	DFN8080-8L
PGCDP65R270A	650	20	7.9	270	-	4	TO-252
PGCDPD65R600A	650	20	4.8	600	-	4	TO-252
PGCTO65R110A	650	20	20	110	-	1.9	TO-220
PGCTOF65R160A	650	20	16	160	-	4	TO-220F
PGCTOF65R270A	650	20	7.9	270	-	4	TO-220F
PGH8FN65R160A	650	-10~+7	13	-	160	2.5	DFN8080-8L
PGH8N65R160A	650	-10~+7	11	-	160	2.5	DFN5060-8L
PGH8N65R300A	650	-10~+7	8	-	300	2.5	DFN5060-8L