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第三代半导体产品—氮化镓器件 GaN HEMT
Part
Number
VDS
(V)
VGS
(±V)
ID
(A)
RDS(ON)(mΩ)/Typ
10V
RDS(ON)(mΩ)/Typ
6V
VGS(th) _Typ.
(V)
Package
PGCDP65R270A
650 20 7.9 270 - 4 TO-252

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